ISL9N310AS3
記述:
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM 最適化
カテゴリー:
集積回路チップ
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
トランジスタの極性::
Nチャンネル
製品カテゴリー::
半導体集積回路 - IC
最低動作温度::
- 55 C
最大動作温度::
+ 175 C
Pd電力の消耗::
70 W
通常の遅延時間::
11 ns
パッケージ::
トューブ
秋の時間::
36 ns
Vds-ドレインソース断定電圧::
30V
メーカー::
一半
長さ::
10.29mm
広さ::
4.83mm
構成::
シングル
Vgs - ゲートソースの電圧::
20V
単位重量::
2.387g
Rdsオン・ドレイン・ソース・オン・レジスタンス::
15のmOhms
昇る時間::
52 ns
チャネルの数::
1チャンネル
典型的なシャットダウン遅延時間::
39 ns
高さ::
7.88mm
Id 連続流出電流::
62 A
トランジスタ型::
1 N チャネル
設置スタイル::
穴を抜ける
工場用パッケージの量::
50
チャンネルモード::
強化
テクノロジー:
Si
シリーズ::
ISL9N310
序章
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ストック:
In Stock
MOQ: