MG12200D-BN2MM
記述:
IGBT モジュール 1200V 290A 1050W D3
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
290 A
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
モジュール
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
1.7V @ 15V,200A (タイプ)
電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）:
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
D3
Mfr:
Littelfuse Inc。
動作温度:
-40°C ~ 125°C (TJ)
現在-コレクターの締切り（最高）:
1 mA
IGBTタイプ:
トレンチフィールドストップ
パワー - マックス:
1050W
インプット:
スタンダード
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce:
14 nF @ 25 V
構成:
ハーフブリッジ
NTC サーミストール:
違う
序章
IGBTモジュール トレンチフィールドストップ ハーフブリッジ 1200 V 290 A 1050 W シャーシマウント D3
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: