F1235R12KT4GBOSA1
記述:
IGBT MOD 1200V 35A 210W
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
現在-コレクター（（最高） IC）:
35A
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
モジュール
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
2.15V @ 15V,35A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
モジュール
Mfr:
インフィニオン・テクノロジーズ
動作温度:
-40°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
1mA
IGBTタイプ:
トレンチフィールドストップ
パワー - マックス:
210W
インプット:
スタンダード
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce:
2nF @ 25V
コンフィギュレーション:
シングル
NTC サーミストール:
違う
序章
IGBT モジュール トレンチフィールドストップ シングル 1200 V 35 A 210 W シャーシマウントモジュール
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: