FP10R12W1T4B11BOMA1
記述:
IGBT MOD 1200V 20A 105W
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
20 A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
エコノピムTM 3
パッケージ/ケース:
モジュール
Vce （） （最高） @ Vge、IC:
2.25V @ 15V, 10A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
モジュール
Mfr:
インフィニオン・テクノロジーズ
動作温度:
-40°C ~ 150°C
電流 - コレクターの切断値 (最大):
1mA
IGBTのタイプ:
-
パワー - マックス:
105 W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
600 pF @ 25 V
構成:
3相インバーター
NTC サーミストール:
そうだ
基本製品番号:
FP10R12
序章
IGBT モジュール 三相インバーター 1200 V 20 A 105 W シャーシマウントモジュール
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: