APT50GF120JRD
記述:
IGBT NPT COMBI 1200V 50A ISOTOP
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
75 A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
SOT-227-4 ミニブロック
Vce （） （最高） @ Vge、IC:
3.4V @ 15V,50A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-227 (ISOTOP®)
Mfr:
マイクロチップ技術
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
現在-コレクターの締切り（最高）:
750 µA
IGBTタイプ:
-
パワー - マックス:
460W
インプット:
スタンダード
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce:
3.45 nF @ 25V
構成:
シングル
NTC サーミストール:
違う
基本製品番号:
APT50
序章
IGBT モジュール シングル 1200 V 75 A 460 W シャシーマウント SOT-227 (ISOTOP®)
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: