NXH35C120L2C2ESG
記述:
IGBT モジュール,CIB 1200 V,35 A IG
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
現在-コレクター（（最高） IC）:
35A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
穴を抜ける
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
26-PowerDIPモジュール（1.199"、47.20mm）
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
2.4V @ 15V、35A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
26-DIP
Mfr:
一半
動作温度:
-40°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
250 μA
IGBTタイプ:
-
パワー - マックス:
20 MW
インプット:
三相橋整流器
入れられたキャパシタンス（Cies） @ Vce:
8.333 nF @ 20V
構成:
ブレーキが付いている三相インバーター
NTC サーミストール:
そうだ
基本製品番号:
NXH35
序章
IGBT モジュール 3相インバーター ブレーキ付き 1200 V 35 A 20 mW Through Hole 26-DIP
RFQを送りなさい
ストック:
MOQ: