AFT09MS015NT1
記述:
RF MOSFET LDMOS 12.5V PLD1.5W
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
定数電圧:
40V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
-
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
PLD-1.5W
電圧-テスト:
12.5V
Mfr:
NXP USA Inc.
頻度:
870MHz
利益:
17.2dB
パッケージ/ケース:
PLD-1.5W
現在-テスト:
100 mA
電力 - 輸出:
16W
テクノロジー:
ldmos
定位電流 (アンプ):
-
基本製品番号:
AFT09
序章
RF モスフェット 12.5 V 100 mA 870MHz 17.2dB 16W PLD-1.5W
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: