A2T21H410-24SR6
記述:
IC TRANS RF LDMOS
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
シャーシマウント
定数電圧:
65ボルト
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
構成:
二重
シリーズ:
-
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
NI-1230-4LS2L
電圧-テスト:
28V
Mfr:
NXP USA Inc.
頻度:
2.17GHz
利益:
15.6dB
パッケージ/ケース:
NI-1230-4LS2L
現在-テスト:
600 mA
電力 - 輸出:
72W
テクノロジー:
ldmos
定位電流 (アンプ):
-
基本製品番号:
A2T21
序章
RF モスフェット 28 V 600 mA 2.17GHz 15.6dB 72W NI-1230-4LS2L
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: