MRF8P20140WHSR3
記述:
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
表面マウント
定数電圧:
65ボルト
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
構成:
二重
シリーズ:
-
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
NI-780S-4L
電圧-テスト:
28V
Mfr:
NXP USA Inc.
頻度:
1.88GHz ~ 1.91GHz
利益:
16dB
パッケージ/ケース:
NI-780S-4L
現在-テスト:
500 mA
電力 - 輸出:
24W
テクノロジー:
ldmos
定位電流 (アンプ):
-
基本製品番号:
MRF8P20140
序章
RF モスフェット 28 V 500 mA 1.88GHz ~ 1.91GHz 16dB 24W NI-780S-4L
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: