PTVA123501ECV2XWSA1
記述:
IC AMP RF LDMOS
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
表面マウント
定数電圧:
105V
パッケージ:
トレー
構成:
二重
シリーズ:
-
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
H-36248-2
Mfr:
インフィニオン・テクノロジーズ
頻度:
1.2GHz~1.4GHz
利益:
17dB
パッケージ/ケース:
2 フラットパック,フィンリード
電力 - 輸出:
350W
テクノロジー:
ldmos
定位電流 (アンプ):
10µA
序章
RF モスフェット 1.2GHz ~ 1.4GHz 17dB 350W H-36248-2
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: