NE5520379A-T1A-A
記述:
シリコン・ミディアム・パワー LDMOSFET, R
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
表面マウント
定数電圧:
15V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
79A
電圧-テスト:
3.2 V
Mfr:
CEL
頻度:
915MHz
利益:
16dB
パッケージ/ケース:
4-SMD,フラットリード
現在-テスト:
600 mA
電力 - 輸出:
35.5dBm
テクノロジー:
ldmos
定位電流 (アンプ):
-
序章
RF モスフェット 3.2 V 600 mA 915MHz 16dB 35.5dBm 79A
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: