GTVA261802FC-V1-R2
記述:
180W,GAN HEMT,48V,2496〜2690MH
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
定数電圧:
125V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
GaN
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
H-37248C-4
電圧-テスト:
48V
Mfr:
ウォルフスピード株式会社
頻度:
2.62GHz ~ 2.69GHz
利益:
16.8dB
パッケージ/ケース:
H-37248C-4
現在-テスト:
160 mA
電力 - 輸出:
170W
テクノロジー:
HEMT
定位電流 (アンプ):
-
基本製品番号:
GTVA261802
序章
RF モスフェット 48 V 160 mA 2.62GHz ~ 2.69GHz 16.8dB 170W H-37248C-4
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: