NE5550779A-A
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
定数電圧:
30V
パッケージ:
ストライプ
シリーズ:
-
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
79A
電圧-テスト:
7.5V
Mfr:
CEL
頻度:
900MHz
利益:
22dB
パッケージ/ケース:
4-SMD,フラットリード
現在-テスト:
140ミリアンペア
電力 - 輸出:
38.5dBm
テクノロジー:
ldmos
定位電流 (アンプ):
2.1A
基本製品番号:
NE5550
序章
RF モスフェット 7.5 V 140 mA 900MHz 22dB 38.5dBm 79A
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: