PXAE183708NB-V1-R2
記述:
320W,SI LDMOS,28V,1805〜1880MH
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
定数電圧:
65ボルト
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
PG-HB2SOF-8-1
電圧-テスト:
28V
Mfr:
ウォルフスピード株式会社
頻度:
1.805GHz ~ 1.88GHz
利益:
16dB
パッケージ/ケース:
PG-HB2SOF-8-1
現在-テスト:
800 mA
電力 - 輸出:
320W
テクノロジー:
ldmos
定位電流 (アンプ):
10µA
基本製品番号:
PXAE183708
序章
RF モスフェット 28 V 800 mA 1.805GHz ~ 1.88GHz 16dB 320W PG-HB2SOF-8-1
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: