DTDG14GPT100
記述:
トランスプレビアス NPN 2W MPT3
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
1A
製品の状況:
アクティブ
トランジスタタイプ:
前偏りのあるNPN -
頻度-転移:
80 MHz
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
-
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC:
400mV @ 5mA, 500mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
60V
供給者のデバイスパッケージ:
MPT3
Mfr:
ローム半導体
抵抗器-エミッターの基盤（R2）:
10のkOhms
電流 - コレクターの切断値 (最大):
500nA (ICBO)
パワー - マックス:
2W
パッケージ/ケース:
TO-243AA
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce:
300 @ 500mA 2V
基本製品番号:
DTDG14
序章
偏向式バイポーラトランジスタ (BJT) NPN - 偏向式60V 1A 80MHz 2W 表面マウント MPT3
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: