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記述:
PDTA143ZQC/SOT8009/DFN1412D-3
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
100 mA
製品の状況:
時代遅れ
トランジスタタイプ:
PNP - 偏見がある
頻度-転移:
180のMHz
マウントタイプ:
表面の台紙、水和性のフランク
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
-
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC:
100mV @ 250μA, 5mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
50V
供給者のデバイスパッケージ:
DFN1412D-3
抵抗器-基盤（R1）:
4.7キロオーム
Mfr:
Nexperia USA Inc。
抵抗器-エミッターの基盤（R2）:
47のkOhms
電流 - コレクターの切断値 (最大):
100nA
パワー - マックス:
360 MW
パッケージ/ケース:
3-XDFN 露出パッド
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce:
100 @ 10mA 5V
基本製品番号:
PDTA143
序章
バイアス式バイポーラトランジスタ (BJT) PNP - バイアス式50V 100mA 180MHz 360mW 表面マウント,水浸し可能な側面 DFN1412D-3
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: