UNR9111G0L
記述:
トランスプレビアス PNP 125MW SSMINI3
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
100 mA
製品の状況:
時代遅れ
トランジスタタイプ:
PNP - 偏見がある
頻度-転移:
80 MHz
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
-
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC:
250mV @ 300μA, 10mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
50V
供給者のデバイスパッケージ:
SSMini3-F3
抵抗器-基盤（R1）:
10のkOhms
Mfr:
松下電器産業の電子部品
抵抗器-エミッターの基盤（R2）:
10のkOhms
電流 - コレクターの切断値 (最大):
500nA
パワー - マックス:
125 MW
パッケージ/ケース:
SC-89、SOT-490
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce:
35 @ 5mA, 10V
基本製品番号:
UNR9111
序章
バイアス型バイポーラトランジスタ (BJT) PNP - バイアス型50V 100mA 80MHz 125mW 表面マウント SSMini3-F3
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: