DTA123JCAHZGT116 試聴する
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
100 mA
製品の状況:
アクティブ
トランジスタタイプ:
PNP - 偏見がある
頻度-転移:
250 MHz
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
、AEC-Q101自動車
Vceの飽和(最高) @ Ib、IC:
300mV @ 250μA, 5mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
50V
供給者のデバイスパッケージ:
SST3
抵抗器-基盤(R1):
2.2のkOhms
Mfr:
ローム半導体
抵抗器-エミッターの基盤(R2):
47のkOhms
電流 - コレクターの切断値 (最大):
500nA
パワー - マックス:
200 MW
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DCの現在の利益(hFE) (分) @ IC、Vce:
80 @ 10mA 5V
基本製品番号:
DTA123
序章
プレバイズドバイポーラトランジスタ (BJT) PNP - プレバイズド50V100mA250MHz200mW 表面マウントSST3
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: