FJN3304RBU
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
100 mA
製品の状況:
時代遅れ
トランジスタタイプ:
前偏りのあるNPN -
頻度-転移:
250 MHz
マウントタイプ:
穴を抜ける
パッケージ:
散装品
シリーズ:
-
Vceの飽和(最高) @ Ib、IC:
300mV @ 500µA、10mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
50V
供給者のデバイスパッケージ:
TO-92-3
抵抗器-基盤(R1):
47のkOhms
Mfr:
一半
抵抗器-エミッターの基盤(R2):
47のkOhms
電流 - コレクターの切断値 (最大):
100nA (ICBO)
パワー - マックス:
300mW
パッケージ/ケース:
TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)
DCの現在の利益(hFE) (分) @ IC、Vce:
68 @ 5mA, 5V
基本製品番号:
FJN330
序章
バイアス式バイポラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式50V 100mA 250MHz 300mW 穴を通ってTO-92-3
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: