FJV3109RMTF
記述:
トランスプレビアス NPN 200MW SOT23-3
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
100 mA
製品の状況:
時代遅れ
トランジスタタイプ:
前偏りのあるNPN -
マウントタイプ:
表面マウント
頻度-転移:
250 MHz
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC:
300mV @ 1mA、10mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
40V
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-23-3
抵抗器-基盤（R1）:
4.7キロオーム
Mfr:
一半
電流 - コレクターの切断値 (最大):
100nA （ICBO）
パワー - マックス:
200 MW
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce:
100 @ 1mA 5V
基本製品番号:
FJV310
序章
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: