A2G22S251-01SR3
記述:
AIRFAST RF POWER GAN トランジスタ
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
表面マウント
定数電圧:
125V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
NI-400S-2S
電圧-テスト:
48V
Mfr:
NXP USA Inc.
頻度:
1.805GHz ~ 2.2GHz
利益:
17.7dB
パッケージ/ケース:
NI-400S-2S
現在-テスト:
200mA
電力 - 輸出:
52dBm
テクノロジー:
ldmos
定位電流 (アンプ):
-
基本製品番号:
A2G22
序章
RF モスフェット 48 V 200 mA 1.805GHz ~ 2.2GHz 17.7dB 52dBm NI-400S-2S
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: