CG2H80030D-GP4
記述:
RF MOSFET HEMT 28Vは死ぬ
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
アクティブ
定数電圧:
84ボルト
パッケージ:
トレー
シリーズ:
GaN
騒音数:
-
供給者のデバイスパッケージ:
死ぬ
電圧-テスト:
28V
Mfr:
ウォルフスピード株式会社
頻度:
8GHz
利益:
16.5dB
パッケージ/ケース:
死ぬ
現在-テスト:
200mA
電力 - 輸出:
30W
テクノロジー:
HEMT
定位電流 (アンプ):
-
基本製品番号:
CG2H80030
序章
RF モスフェット 28 V 200 mA 8GHz 16.5dB 30W ダイ
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: