NE3521M04-T2-A
記述:
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:
時代遅れ
構成:
Nチャンネル
定数電圧:
4V
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
シリーズ:
-
騒音数:
0.85dB
電圧-テスト:
2ボルト
Mfr:
CEL
頻度:
20GHz
利益:
11dB
パッケージ/ケース:
4-SMD,フラットリード
現在-テスト:
6mA
電力 - 輸出:
-
テクノロジー:
GaAs HJ-FET
定位電流 (アンプ):
70mA
序章
RF モスフェット 2V 6mA 20GHz 11dB
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: