UNR422100A
記述:
トランスプレビアス NPN 300MW NS-B1
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
500 mA
製品の状況:
時代遅れ
トランジスタタイプ:
前偏りのあるNPN -
頻度-転移:
200 MHz
マウントタイプ:
穴を抜ける
パッケージ:
切りなさいテープ（CT）を
テープ及び箱（TB）
シリーズ:
-
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC:
250mV @ 5mA, 100mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
50V
供給者のデバイスパッケージ:
NS-B1
抵抗器-基盤（R1）:
2.2のkOhms
Mfr:
松下電器産業の電子部品
抵抗器-エミッターの基盤（R2）:
2.2のkOhms
電流 - コレクターの切断値 (最大):
1µA
パワー - マックス:
300mW
パッケージ/ケース:
3-SIP
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce:
40 @ 100mA, 10V
基本製品番号:
UNR422
序章
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 300 mW Through Hole NS-B1
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: