NSVMMUN2212LT1G
記述:
トランスプレビアス NPN 50V SOT23-3
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):
100 mA
製品の状況:
アクティブ
トランジスタタイプ:
前偏りのあるNPN -
マウントタイプ:
表面マウント
パッケージ:
テープ&ロール (TR)
切断テープ (CT)
Digi-Reel®
シリーズ:
-
Vceの飽和（最高） @ Ib、IC:
250mV @ 300μA, 10mA
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
50V
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-23-3 (TO-236)
抵抗器-基盤（R1）:
22のkOhms
Mfr:
一半
抵抗器-エミッターの基盤（R2）:
22のkOhms
電流 - コレクターの切断値 (最大):
500nA
パワー - マックス:
246 MW
パッケージ/ケース:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
DCの現在の利益（hFE） （分） @ IC、Vce:
60 @ 5mA, 10V
基本製品番号:
NSVMMUN2212
序章
バイアス式バイポラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式50 V 100 mA 246 mW 表面マウント SOT-23-3 (TO-236)
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: