FJN3309RBU
仕様
				
						カテゴリー:
						
																				離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
					
						電流 - コレクター (Ic) (最大):
						
																				100 mA
					
						製品の状況:
						
																				時代遅れ
					
						トランジスタタイプ:
						
																				前偏りのあるNPN -
					
						マウントタイプ:
						
																				穴を抜ける
					
						頻度-転移:
						
																				250 MHz
					
						パッケージ:
						
																				散装品
					
						シリーズ:
						
																				-
					
						Vceの飽和(最高) @ Ib、IC:
						
																				300mV @ 1mA、10mA
					
						電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
						
																				40V
					
						供給者のデバイスパッケージ:
						
																				TO-92-3
					
						抵抗器-基盤(R1):
						
																				4.7キロオーム
					
						Mfr:
						
																				一半
					
						電流 - コレクターの切断値 (最大):
						
																				100nA (ICBO)
					
						パワー - マックス:
						
																				300mW
					
						パッケージ/ケース:
						
																				TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)
					
						DCの現在の利益(hFE) (分) @ IC、Vce:
						
																				100 @ 1mA 5V
					
						基本製品番号:
						
														FJN330
					序章
				
						バイアス式バイアス式トランジスタ (BJT) NPN - バイアス式バイアス式40V 100mA 250MHz 300mW 穴を通ってTO-92-3
					                            
                      					
				RFQを送りなさい
				
							ストック:
							
						
							            							 
                                        In Stock
                                        							        							    							        							    							        							    														
						
							MOQ:
							
							            							    							        							    							        							    							        							    														
						
					

 
        