DDTD143EU-7-F
仕様
				
						カテゴリー:
						
																				離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
					
						電流 - コレクター (Ic) (最大):
						
																				500 mA
					
						製品の状況:
						
																				時代遅れ
					
						トランジスタタイプ:
						
																				前偏りのあるNPN -
					
						頻度-転移:
						
																				200 MHz
					
						マウントタイプ:
						
																				表面マウント
					
						パッケージ:
						
																				テープ&ロール (TR)
					
						シリーズ:
						
																				-
					
						Vceの飽和(最高) @ Ib、IC:
						
																				300mV @ 2.5mA、50mA
					
						電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
						
																				50V
					
						供給者のデバイスパッケージ:
						
																				SOT-323
					
						抵抗器-基盤(R1):
						
																				4.7キロオーム
					
						Mfr:
						
																				ディオード組み込み
					
						抵抗器-エミッターの基盤(R2):
						
																				4.7キロオーム
					
						電流 - コレクターの切断値 (最大):
						
																				500nA
					
						パワー - マックス:
						
																				200 MW
					
						パッケージ/ケース:
						
																				SC-70,SOT-323
					
						DCの現在の利益(hFE) (分) @ IC、Vce:
						
																				47 @ 50mA 5V
					
						基本製品番号:
						
														DDTD143
					序章
				
						バイアス式バイポラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式50V 500mA 200MHz 200mW 表面マウント SOT-323
					                            
                      					
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							ストック:
							
						
							            							 
                                        In Stock
                                        							        							    							        							    							        							    														
						
							MOQ:
							
							            							    							        							    							        							    							        							    														
						
					

 
        