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MSCGTQ100HD65C1AG

記述:
PM-IGBT-TFS-SBD~-SP1F
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品 トランジスタ IGBT IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
80A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
MSC
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
-
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
650ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
sp1
Mfr:
マイクロチップ技術
電流 - コレクターの切断値 (最大):
80A
IGBTタイプ:
パッケージ/ケース:
モジュール
インプット:
スタンダード
動作温度:
-
構成:
ハーフブリッジ
NTC サーミストール:
違う
基本製品番号:
MSCGTQ100
序章
IGBTモジュール トレンチ半橋 650 V 80 A シャーシマウント SP1
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: