APT150GT120JR
記述:
IGBT MOD 1200V 170A 830W ISOTOP
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
170 A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
落雷IGBT®
パッケージ/ケース:
ISOTOP
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
3.7V @ 15V, 150A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
ISOTOP®
Mfr:
マイクロチップ技術
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
150 µA
IGBTタイプ:
NPT
パワー - マックス:
830 W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
9.3 nF @ 25V
構成:
シングル
NTC サーミストール:
違う
基本製品番号:
APT150
序章
IGBT モジュール NPT シングル 1200 V 170 A 830 W シャーシマウント ISOTOP®
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: