STG3P2M10N60B
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
19 A
製品の状況:
時代遅れ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
散装品
シリーズ:
SEMITOP®
パッケージ/ケース:
SEMITOP®2
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
2.5V @ 15V, 7A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
600V
供給者のデバイスパッケージ:
SEMITOP®2
Mfr:
STMマイクロ電子機器
動作温度:
-40°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
10 μA
IGBTタイプ:
-
パワー - マックス:
56W
インプット:
単相ブリッジ直す機
入力容量 (Cies) @ Vce:
720 pF @ 25 V
構成:
3相インバーター
NTC サーミストール:
違う
基本製品番号:
STG3P2
序章
IGBTモジュール 3相インバーター 600 V 19 A 56 W シャーシマウント SEMITOP®2
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ストック:
In Stock
MOQ: