DF200R12PT4B6BOSA1
記述:
IGBT MOD 1200V 300A 1100W
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
300A
製品の状況:
Digi-Keyで発売中止
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
エコノパックTM 4
パッケージ/ケース:
モジュール
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
2.1V @ 15V,200A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
モジュール
Mfr:
インフィニオン・テクノロジーズ
動作温度:
-40°C ~ 150°C
電流 - コレクターの切断値 (最大):
15 µA
IGBTタイプ:
トレンチフィールドストップ
パワー - マックス:
1100W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
12.5 nF @ 25V
構成:
3相インバーター
NTC サーミストール:
そうだ
基本製品番号:
DF200R12
序章
IGBT モジュール トレンチフィールドストップ 3相インバーター 1200 V 300 A 1100 W シャーシマウントモジュール
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: