NXH35C120L2C2S1G
記述:
IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
35A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
穴を抜ける
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
26-PowerDIPモジュール（1.199"、47.20mm）
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
2.4V @ 15V、35A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
26-DIP
Mfr:
一半
動作温度:
-40°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
250 μA
IGBTタイプ:
-
パワー - マックス:
20 MW
インプット:
三相橋整流器
入力容量 (Cies) @ Vce:
8.33 nF @ 20V
構成:
ブレーキが付いている三相インバーター
NTC サーミストール:
そうだ
基本製品番号:
NXH35
序章
IGBT モジュール 3相インバーター ブレーキ付き 1200 V 35 A 20 mW Through Hole 26-DIP
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: