APT50GR120JD30
記述:
IGBT MOD 1200V 84A 417W SOT227
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
84 A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トューブ
シリーズ:
-
パッケージ/ケース:
SOT-227-4
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
3.2V @ 15V,50A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1200V
供給者のデバイスパッケージ:
SOT-227
Mfr:
マイクロチップ技術
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - コレクターの切断値 (最大):
1.1ミリアンペア
IGBTタイプ:
NPT
パワー - マックス:
417W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
5.55 nF @ 25V
構成:
シングル
NTC サーミストール:
違う
基本製品番号:
APT50GR120
序章
IGBT モジュール NPT シングル 1200 V 84 A 417 W シャーシマウント SOT-227
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: