FD650R17IE4BOSA2
記述:
IGBT MOD 1700V 930A 4150W
カテゴリー:
チタニウムの集積回路
In-stock:
ストック
支払方法:
L/C,D/A,D/P,T/T,ウェスタンユニオン,マネーグラム
Shipping Method:
LCL,AIR,FCL,エクスプレス
仕様
カテゴリー:
離散半導体製品
トランジスタ
IGBT
IGBT モジュール
電流 - コレクター (Ic) (最大):
930A
製品の状況:
アクティブ
マウントタイプ:
シャーシマウント
パッケージ:
トレー
シリーズ:
プライムパックTM2
パッケージ/ケース:
モジュール
VCE (オン) (最大) @ VGE, Ic:
2.45V @ 15V 650A
電圧 - コレクターエミッター分解 (最大):
1700ボルト
供給者のデバイスパッケージ:
モジュール
Mfr:
インフィニオン・テクノロジーズ
動作温度:
-40°C ~ 150°C
電流 - コレクターの切断値 (最大):
5 mA
IGBTタイプ:
-
パワー - マックス:
4150W
インプット:
スタンダード
入力容量 (Cies) @ Vce:
54 nF @ 25 V
構成:
シングル
NTC サーミストール:
そうだ
基本製品番号:
FD650R17
序章
IGBT モジュール シングル 1700 V 930 A 4150 W シャーシマウントモジュール
RFQを送りなさい
ストック:
In Stock
MOQ: